Amplifiers

1KW LDMOS アンプの製作 Imput protection

1KW LDMOS アンプの製作 Imput protection_f0033779_11124847.jpg
それでは、保護回路のかなめである異常検出からCheckしていきます。運用上の異常検知は大きく分けて2系統あります。一つは入力系、もう一つは出力系です。ここでは入力系に焦点を当てます。アンプに使用しているLDMOSのゲインは25~30dbにも及びます。つまり入力1Wで出力が1000W出てくる計算です。余りにもゲインが高いため、過入力にならないように入力側の最大電力を制限することが必要です。通常は入力は減衰器を入れて安定させ(3-4Wで十分)6-7Wを超えるような過大入力を避けるような仕組みが必要です。

今回のユニットは3つの特徴があります。
①高周波電圧のPeakをツエナーダイオードで制限。
 Pw=Vrms^2 /RなのでPeak 8WとするとVrms=√8X50=20Vrmsでクリップ。
②規定値を超える入力を高速リレーで遮断。
 遮断されても7dbのアッテネーターが入っていますので多少入力SWRがあがる程度。
③遮断と同時にBias値をOFF状態してFETの動作を低下させ、LEDを点灯させる。
1KW LDMOS アンプの製作 Imput protection_f0033779_11044381.jpg
写真はその基板と回路図です。BiasのOFFは専用のアンプ基板に合わせていますので、ここは修正が必要のようです。私の基板のBias回路は別途LM723で50V feedで温度補償する形なので、このままBias入力に50Vを突っ込むわけにもいかず、Bias電圧を入力するにしても、電圧が12Vよりも低いためリレー動かなくなります。リレーに1回路空いているのでなぜこれを使わないのか部品点数も減らせるのに不思議なところです。ここを改造して50Vを直接突っ込めるようにしたいと思います。
de Roy

by ja1bop | 2017-01-09 11:13 | Amplifiers | Comments(0)

50Mhz & FT8 が好きなアマチュア無線家のブログです。


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